IGBT/GTO缓冲电容器
CRE薄膜电容器产品目录
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用于谐振电路的金属化薄膜电容器 SMJ-TE
轴向缓冲电容器 SMJ-TE
IGBT 抑制剂。
广泛应用于电力电子设备中，用于吸收峰值电压、峰值电流的保护电容范围：0.1μF~5.6μF
额定电压：630V.DC～2000V.DC
上限公差： ±5%(J)；±10%(K)
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稳定高压IGBT缓冲电容器SMJ-TC
电容器型号：SMJ-TC
GTO缓冲器。
广泛应用于电力电子设备中，用于吸收峰值电压、峰值电流的保护电容范围：0.22μF~3μF
额定电压：3000V直流~10000V直流
Cap.tol：±5%（J）； ±10%（K)
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焊接机用Gto缓冲薄膜电容器
电容器型号：SMJ-TC
特征：
1. 铜螺母电极
2. 体积小巧，安装简便
3. 聚酯薄膜胶带缠绕技术
4. 干树脂填充
5. 低等效串联电感 (ESL) 和等效串联电阻 (ESR)
应用领域：
1. GTO 缓冲器
2. 电子设备中开关元件的峰值电压和峰值电流吸收与保护
缓冲电路对于开关电路中使用的二极管至关重要。它可以保护二极管免受反向恢复过程中可能出现的过电压尖峰的影响。
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用于焊接机的带轴向引线的聚酯薄膜型IGBT缓冲电容器
电容器型号：SMJ-TC
特征：
1. 铜螺母电极
2. 体积小巧，安装简便
3. 聚酯薄膜胶带缠绕技术
4. 干树脂填充
5. 低等效串联电感 (ESL) 和等效串联电阻 (ESR)
应用领域：
1. GTO 缓冲器
2. 电子设备中开关元件的峰值电压和峰值电流吸收与保护
缓冲电路对于开关电路中使用的二极管至关重要。它可以保护二极管免受反向恢复过程中可能出现的过电压尖峰的影响。
