用于 IGBT 应用的聚丙烯薄膜低损耗电介质缓冲电容器

简短的介绍：

CRE 系列 IGBT 缓冲电容器符合 ROHS 和 REACH 标准。

1. 采用符合UL94-VO标准的塑料外壳和环氧端填充，确保阻燃特性。

2. 端子样式和外壳尺寸可定制。

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产品信息

产品标签

SMJ-P系列

额定电压范围：1000 VDC 至 2000 VDC
电容范围：0.1 uf 至 3.0 uf
安装间距：22.5 毫米至 48 毫米
结构：金属化聚丙烯电介质内部串联
应用：IGBT 保护、谐振回路电路

自愈式干式缓冲电容器元件采用特殊形状的波形切割金属化 PP 薄膜生产，确保低自感、高耐破裂性和高可靠性。认为没有必要进行过压断开。电容器顶部采用自熄性环保环氧树脂密封。特殊的设计确保极低的自感。

规格表

电压	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	尺寸（mm）
Cn(μF)	长(±1)	温度(±1)	高度(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt（V/μS）	电流(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	第480章	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	第430章	第645章	5
2	42.5	33	35.5	6	24	第420章	第840章	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

电压	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	尺寸（mm）
Cn(μF)	长(±1)	温度(±1)	高度(±1)	等效串联电阻(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	电流(A)	埃姆斯
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	第470章	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	第544章	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000年	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	第420章	1974年	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

电压	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	长(±1)	温度(±1)	高度(±1)	等效串联电阻(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	电流(A)	埃姆斯
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	第564章	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	第748章	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	第420章	1974年	32

电压	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	长(±1)	温度(±1)	高度(±1)	等效串联电阻(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	电流(A)	埃姆斯
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	第429章	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	第884章	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980年	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

电压	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	长(±1)	温度(±1)	高度(±1)	等效串联电阻(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	电流(A)	埃姆斯
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	第495章	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	第658章	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	第748章	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	第984章	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

电压	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	长(±1)	温度(±1)	高度(±1)	等效串联电阻(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	电流(A)	埃姆斯
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	第375章	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	第484章	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000年	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	第495章	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	第752章	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28