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用于IGBT的低损耗聚丙烯薄膜缓冲电容器

简短描述:

CRE系列IGBT缓冲电容器符合ROHS和REACH标准。

1. 采用符合 UL94-VO 标准的塑料外壳和环氧树脂端填充物,确保阻燃特性。

2. 终端样式和外壳尺寸可以定制。

 


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  • 产品详情

    产品标签

    SMJ-P系列

    额定电压范围:1000 VDC 至 2000 VDC
    电容范围:0.1微法至3.0微法
    安装间距:22.5 毫米至 48 毫米
    结构:金属化聚丙烯介质,内部串联连接
    应用:IGBT保护、谐振回路

    这种自愈式干式缓冲电容器元件采用特殊异形波纹切割金属化聚丙烯薄膜制成,确保了低自感、高抗破损性和高可靠性。无需过压断开。电容器顶部采用环保型自熄环氧树脂密封。特殊设计确保了极低的自感。

    IMG_0397.HEIC

    规格表

    电压 Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
    尺寸(毫米)
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) 40℃@100KHz 时的有效值 (A)
    0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
    0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
    1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
    1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
    2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
    2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
    3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
    3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
    3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
    3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
    4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
    5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
    6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
    6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
    8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
    电压 Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
    尺寸(毫米)
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) 公司
    0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
    0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
    1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
    1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
    2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
    2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
    3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
    3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
    3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
    4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
    4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
    5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
    电压 Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) 公司
    0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
    0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
    1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
    1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
    2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
    2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
    3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
    3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
    3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
    4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
    4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32
    电压 Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) 公司
    0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
    0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
    0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
    1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
    1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
    1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
    2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
    2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
    3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
    3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
    3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
    4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
    电压 Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) 公司
    0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
    0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
    0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
    0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
    0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
    0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
    1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
    1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
    2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
    2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
    电压 Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) 公司
    0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
    0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
    0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
    0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
    0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
    0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

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