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适用于高功率应用的高级 IGBT 缓冲电容器设计

简短的介绍:

IGBT 缓冲器 SMJ-P

1. 塑料外壳,树脂密封;

2、镀锡铜插片引出,方便IGBT安装;

3、耐高电压,tgδ低,温升低;

4.低ESL和ESR;

5、高脉冲电流;

6. UL认证。

 


产品信息

产品标签

技术数据

工作温度范围 最高工作温度,最高:+105℃

上类别温度:+85℃

下类别温度:-40℃

电容范围 0.1μF5.6μF
额定电压 700V直流3000V直流
卡托尔 ±5%(J);±10%(K)
耐压 1.5Un直流/10S
耗散因数 tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

绝缘电阻

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20℃ 100V.DC 60S)

C0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)

承受冲击电流

参见数据表

阻燃性

UL94V-0

预期寿命

100000h(Un; θ热点≤85°C)

参考标准

IEC61071;GB/T17702;

规格表

电压 Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
尺寸(mm)
Cn(μF) 长(±1) 温度(±1) 高度(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) 电流(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 第480章 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 第430章 第645章 5
2 42.5 33 35.5 6 24 第420章 第840章 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
电压 Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
尺寸(mm)
Cn(μF) 长(±1) 温度(±1) 高度(±1) 等效串联电阻(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) 电流(A) 埃姆斯
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 第470章 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 第544章 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000年 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 第420章 1974年 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
电压 Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) 长(±1) 温度(±1) 高度(±1) 等效串联电阻(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) 电流(A) 埃姆斯
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 第564章 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 第748章 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 第420章 1974年 32
电压 Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) 长(±1) 温度(±1) 高度(±1) 等效串联电阻(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) 电流(A) 埃姆斯
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 第429章 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 第884章 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980年 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
电压 Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) 长(±1) 温度(±1) 高度(±1) 等效串联电阻(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) 电流(A) 埃姆斯
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 第495章 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 第658章 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 第748章 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 第984章 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
电压 Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) 长(±1) 温度(±1) 高度(±1) 等效串联电阻(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) 电流(A) 埃姆斯
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 第375章 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 第484章 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000年 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 第495章 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 第752章 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

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