轴向GTO缓冲电容器

简短描述：

这些电容器能够承受GTO保护中常见的强电流脉冲。轴向连接方式有助于降低串联电感，并提供牢固的机械安装、可靠的电气接触以及良好的散热性能，有效散发运行过程中产生的热量。

产品详情

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技术数据

工作温度范围	-40℃至+85℃
电容范围	0.1μF～5.6μF
额定电压	630V.DC～2000V.DC
首都	±5%(J)；±10%(K)
耐压	1.5Un DC/10S
耗散因子	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
绝缘电阻	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ（20℃ 100V.DC 60S） C＞0.33μF RS*C≥5000S（20℃ 100V.DC 60S）
能承受击穿电流	请参阅数据表
预期寿命	100000h(Un; θ热点≤85°C)
参考标准	IEC 61071；IEC 61881；GB/T17702

应用

1. IGBT缓冲器，GTO缓冲器

2. 广泛应用于电力电子设备的峰值电压、峰值电流吸收保护。

轮廓图

SMJ-TE轴向电容器
电压		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
电容（μF）	L（mm±1）	T（mm±1）	H（mm±1）	φd（毫米）	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	25℃@100KHz 时的有效值 (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
电压		Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
电容（μF）	L（mm±1）	T（mm±1）	H（mm±1）	φd（毫米）	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	25℃@100KHz 时的有效值 (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
电压		Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
电容（μF）	L（mm±1）	T（mm±1）	H（mm±1）	φd（毫米）	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	25℃@100KHz 时的有效值 (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974	18.2
电压		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
电容（μF）	L（mm±1）	T（mm±1）	H（mm±1）	φd（毫米）	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	25℃@100KHz 时的有效值 (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800	18.2
电压		Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
电容（μF）	L（mm±1）	T（mm±1）	H（mm±1）	φd（毫米）	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	25℃@100KHz 时的有效值 (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540	17.8
电压		Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
电容（μF）	L（mm±1）	T（mm±1）	H（mm±1）	φd（毫米）	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	25℃@100KHz 时的有效值 (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5